GAIN CHips

Diagram comparing EP and SAF GaN chips, showing structural layers, dimensions, electrical contacts, and current flow direction for each chip type.

Gain Chips sind modifizierte Fabry-Perot-Laserdioden mit einer ausgezeichneten Antireflexionsbeschichtung (AR) an der Ausgangsfacette. Sie sind zwar nicht selbstlaserend, aber für den Betrieb in External Cavity Diode Laser Setups (ECDL) vorgesehen, wie z.B. in der Littman oder Littrow Konfiguration. Mit externer Rückkopplung zeigen sie einen engen Einzelfrequenzbetrieb in Kombination mit überlegenen Abstimmfähigkeiten.

Es sind zwei Arten von Chips erhältlich, der abstimmbare Gain-Chip mit geradem Steg und der weit abstimmbare Gain-Chip mit leicht abgewinkeltem Steg. Die leicht gekippte Wellenleiterstruktur unterdrückte die intrinsische Hohlraummode des Chips zusätzlich. Dies eröffnet ein noch breiteres Verstärkungsprofil und ermöglicht eine umfassendere Abstimmbarkeit als bei den geraden Strukturen.

Die Produktfamilie deckt einen Großteil der Wellenlängen zwischen 650nm und 1100nm ab und bietet damit eine große Freiheit für kommerziell weniger zugängliche Wellenlängen. Ein externer Hohlraum ist erforderlich, um die optische Leistung aus diesem antireflexionsbeschichteten Verstärkerchip zu extrahieren. Der Gain-Chip hilft bei der Stromversorgung unserer miniECL-Serie mit besonders feiner Linienbreite (typ. 100kHz). Weitere Informationen finden Sie unter hier.

Two small cylindrical electronic components with metal casing and three gold pins extending from the back, positioned side by side on a white background.

PRODUKTFINDER

Wavelength

nm
nm

Operational Mode

TYPISCHE Applikationen FÜR Gain Chips

Spektroskopie

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